文献
J-GLOBAL ID:201802244886537394
整理番号:18A0199081
従来のSiベースSGMOSFET上のサブ10nm GaNベースDG-MOSFETの素子性能の影響【Powered by NICT】
Influence of device performance of Sub-10 nm GaN-based DG-MOSFETs over conventional Si-based SG-MOSFETs
著者 (1件):
Hasan Md. Rokib
(Department of Electrical and Electronic Engineering, American International University Bangladesh, Ka-66/1, Kuratoli Road, Kuril, Khilkhet, Dhaka 1229, Bangladesh)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ICAEE
ページ:
697-702
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)