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文献
J-GLOBAL ID：201802244907564313
整理番号：18A0571552
電気化学的水素発生のための高いパーセントの1T相遷移金属ジカルコゲン化物ナノドットの作製【Powered by NICT】
Preparation of High-Percentage 1T-Phase Transition Metal Dichalcogenide Nanodots for Electrochemical Hydrogen Evolution
Tan Chaoliang
(Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore)
,
Luo Zhimin
(Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore)
,
Chaturvedi Apoorva
(Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore)
,
Cai Yongqing
(Institute of High Performance Computing, A*STAR, 1 Fusionopolis Way, Singapore, 138632, Singapore)
,
Du Yonghua
(Institute of Chemical and Engineering Sciences, A*STAR, Singapore, 627833, Singapore)
,
Gong Yue
(Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China)
,
Huang Ying
(Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore)
,
Lai Zhuangchai
(Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore)
,
Zhang Xiao
(Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore)
,
Zheng Lirong
(Beijing Synchrotron Radiation Facility, Institute of High Energy Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China)
,
Qi Xiaoying
(Singapore Institute of Manufacturing Technology, A*STAR, 71 Nanyang Drive, Singapore, 638075, Singapore)
,
Goh Min Hao
(Singapore Institute of Manufacturing Technology, A*STAR, 71 Nanyang Drive, Singapore, 638075, Singapore)
,
Wang Jie
(Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore)
,
Han Shikui
(Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore)
,
Wu Xue-Jun
(Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore)
,
Gu Lin
(Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China)
,
Kloc Christian
(Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore)
,
Zhang Hua
(Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore)
資料名：
Advanced Materials
(Advanced Materials)
巻： 30 号： 9 ページ： ROMBUNNO.201705509 発行年： 2018年
JST資料番号： W0001A ISSN： 0935-9648 CODEN： ADVMEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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