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文献
J-GLOBAL ID：201802244993273789
整理番号：18A0910897
低エネルギーBF2イオン注入によるソース接合を用いたGe-on-InsulatorトンネルFETの高性能化
Performance enhancement of Ge-on-Insulator tunneling FETs with source junctions formed by low-energy BF2 ion implantation
KATOH Takumi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
MATSUMURA Ryo
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TAKAGUCHI Ryotaro
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TAKENAKA Mitsuru
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TAKAGI Shinichi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 4S ページ： 04FD15.1-04FD15.6 発行年： 2018年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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