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文献
J-GLOBAL ID：201802245094848403
整理番号：18A0968328
光学的方法による窒素ドープおよびホウ素ドープ単結晶HPHTダイヤモンドにおける非平衡キャリア寿命の研究【JST・京大機械翻訳】
Investigating non-equilibrium carrier lifetimes in nitrogen-doped and boron-doped single crystal HPHT diamonds with an optical method
Song Y.
(Institute of Wide Bandgap Semiconductors, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)
,
Peng B. D.
(State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China)
,
Song G. Z.
(State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China)
,
Yue Z. Q.
(State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China)
,
Li B. K.
(State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China)
,
Ma J. M.
(State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China)
,
Sheng L.
(State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China)
,
Duan B. J.
(State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China)
,
Wang H. X.
(Institute of Wide Bandgap Semiconductors, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 112 号： 2 ページ： 022103-022103-5 発行年： 2018年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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