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文献
J-GLOBAL ID：201802245357871602
整理番号：18A1488430
Cu_3Bi_3三元化合物で作製した薄膜光起電素子【JST・京大機械翻訳】
Thin film photovoltaic devices prepared with Cu3BiS3 ternary compound
Hernadez-Mota J.
(Universidad Autonoma de Nuevo Leon (UANL), Facultad de Ciencias Quimicas, Laboratorio de Materiales I, Av. Universidad, Cd. Universitaria 66455, San Nicolas de los Garza, Nuevo Leon, Mexico)
,
Espindola-Rodriguez M.
(Catalonia Institute for Energy Research (IREC), Jardins de les Dones de Negre 1 2pl, 08930 Sant Adria del Besos, Barcelona, Spain)
,
Sanchez Y.
(Catalonia Institute for Energy Research (IREC), Jardins de les Dones de Negre 1 2pl, 08930 Sant Adria del Besos, Barcelona, Spain)
,
Lopez Israel
(Universidad Autonoma de Nuevo Leon (UANL), Facultad de Ciencias Quimicas, Laboratorio de Materiales I, Av. Universidad, Cd. Universitaria 66455, San Nicolas de los Garza, Nuevo Leon, Mexico)
,
Pena Y.
(Universidad Autonoma de Nuevo Leon (UANL), Facultad de Ciencias Quimicas, Laboratorio de Materiales I, Av. Universidad, Cd. Universitaria 66455, San Nicolas de los Garza, Nuevo Leon, Mexico)
,
Saucedo E.
(Catalonia Institute for Energy Research (IREC), Jardins de les Dones de Negre 1 2pl, 08930 Sant Adria del Besos, Barcelona, Spain)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 87 ページ： 37-43 発行年： 2018年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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