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文献
J-GLOBAL ID：201802245454083673
整理番号：18A0426079
掃引とパルスプログラミングによるTiN/Ti/HfO_2/W抵抗スイッチング素子のマルチレベル能力の研究【Powered by NICT】
Investigation of the multilevel capability of TiN/Ti/HfO2/W resistive switching devices by sweep and pulse programming
Poblador S.
(Institut de Microelectronica de Barcelona, IMB-CNM (CSIC), Campus UAB, 08193 Bellaterra, Spain)
,
Gonzalez M.B.
(Institut de Microelectronica de Barcelona, IMB-CNM (CSIC), Campus UAB, 08193 Bellaterra, Spain)
,
Campabadal F.
(Institut de Microelectronica de Barcelona, IMB-CNM (CSIC), Campus UAB, 08193 Bellaterra, Spain)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 187-188 ページ： 148-153 発行年： 2018年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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