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文献
J-GLOBAL ID：201802245611524915
整理番号：18A2028857
焦点面アレイの開発のためのその場Zn拡散に及ぼすMOVPE反応器からのInPエピタキシャル層除去の効果【JST・京大機械翻訳】
Effect of InP epitaxial layer removal from an MOVPE reactor on in-situ Zn diffusion for the development of focal plane arrays
Rua M. G.
(LabSem/CETUC, Pontifi ́cia Universidade Cato ́lica, Rio de Janeiro, 22451-900, Brazil)
,
Herculano E. P.
(DISSE-Instituto Nacional de Cie^ncia e Tecnologia de Nanodispositivos Semicondutores, PUC-Rio, 22451-900, Brazil)
,
Kawabata R.
(LabSem/CETUC, Pontifi ́cia Universidade Cato ́lica, Rio de Janeiro, 22451-900, Brazil)
,
Pinto L. D.
(LabSem/CETUC, Pontifi ́cia Universidade Cato ́lica, Rio de Janeiro, 22451-900, Brazil)
,
Vieira G. S.
(DISSE-Instituto Nacional de Cie^ncia e Tecnologia de Nanodispositivos Semicondutores, PUC-Rio, 22451-900, Brazil)
,
Pires M. P.
(DISSE-Instituto Nacional de Cie^ncia e Tecnologia de Nanodispositivos Semicondutores, PUC-Rio, 22451-900, Brazil)
,
Souza P. L.
(LabSem/CETUC, Pontifi ́cia Universidade Cato ́lica, Rio de Janeiro, 22451-900, Brazil)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： SBMicro ページ： 1-4 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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