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文献
J-GLOBAL ID：201802245912709610
整理番号：18A0623786
Cr_2O_3/強磁性体界面交換バイアス薄膜系における低エネルギー磁気電気スイッチングのための挿入した金属【Powered by NICT】
Inserted metals for low-energy magnetoelectric switching in a Cr2O3/ferromagnet interfacial exchange-biased thin film system
Ye Shujun
(Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai 980-0845, Japan. ye.shujun@ecei.tohoku.ac.jp sahashi@ecei.tohoku.ac.jp)
,
Nozaki Tomohiro
,
Kotani Yoshinori
,
Toyoki Kentaro
,
Nakamura Tetsuya
,
Yonemura Syougo
,
Shibata Tatsuo
,
Pati Satya Prakash
,
Al-Mahdawi Muftah
,
Shiokawa Yohei
,
Sahashi Masashi
資料名：
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 6 号： 12 ページ： 2962-2969 発行年： 2018年
JST資料番号： W2383A ISSN： 2050-7526 CODEN： JMCCCX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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