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文献
J-GLOBAL ID:201802245977236796   整理番号:18A0994660

II型HfS2/MoS2ヘテロ接合トランジスタ

Type-II HfS2/MoS2 Heterojunction Transistors
著者 (6件):
NETSU Seiko
(Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology)
KANAZAWA Toru
(Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology)
UWANNO Teerayut
(Department of Materials Engineering, The University of Tokyo)
AMEMIYA Tomohiro
(Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology)
NAGASHIO Kosuke
(Department of Materials Engineering, The University of Tokyo)
MIYAMOTO Yasuyuki
(Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology)

資料名:
IEICE Transactions on Electronics (Web)  (IEICE Transactions on Electronics (Web))

巻: E101.C  号:ページ: 338-342(J-STAGE)  発行年: 2018年 
JST資料番号: U0468A  ISSN: 1745-1353  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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