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文献
J-GLOBAL ID：201802246014278688
整理番号：18A1676130
界面反応による緩衝YSZ基板上のエピタキシャル強誘電Hf_0.5Zr_0.5O_2薄膜【JST・京大機械翻訳】
Epitaxial ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 thin film on a buffered YSZ substrate through interface reaction
Li Tao
(School of Mechanical Engineering, Dongguan University of Technology, Dongguan 523808, P. R. China)
,
Zhang Nian
,
Sun Zhenzhong
,
Xie Chunxiao
,
Ye Mao
,
Mazumdar Sayantan
,
Shu Longlong
,
Wang Yu
,
Wang Danyang
,
Chen Lang
,
Ke Shanming
,
Huang Haitao
資料名：
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 6 号： 34 ページ： 9224-9231 発行年： 2018年
JST資料番号： W2383A ISSN： 2050-7526 CODEN： JMCCCX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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