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文献
J-GLOBAL ID：201802246207830698
整理番号：18A2242852
4H-SiC表面のフェムト秒レーザ誘起改質とNi/SiC界面での低温拡散への応用
Femtosecond-laser-induced modifications on a 4H-SiC surface and their application to low-temperature diffusion at the Ni/SiC interface
OKADA Tatsuya
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
,
TOMITA Takuro
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
,
UEKI Tomoyuki
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
,
HASHIMOTO Takuya
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
,
FUCHIKAMI Yuki
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
,
KATAYAMA Hiroyuki
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
,
HISAZAWA Hiromu
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
,
TANAKA Yasuhiro
(Kagawa Univ., Takamatsu, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 11 ページ： 116501.1-116501.7 発行年： 2018年11月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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