文献
J-GLOBAL ID:201802246304296065
整理番号:18A0203311
二重ゲートN~+ポケット基づくdopinglessトンネル電界効果トランジスタのTCADシミュレーション【Powered by NICT】
TCAD simulations of dual gate N+ pocket based dopingless tunnel field effect transistor
著者 (3件):
Naik Eslavath Raja
(National Institute of Technology, Kurkshetra)
,
Chauhan Sudakar Singh
(National Institute of Technology, Kurkshetra)
,
Verma Gaurav
(National Institute of Technology, Kurkshetra)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
RTEICT
ページ:
1592-1595
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)