文献
J-GLOBAL ID:201802246414221409
整理番号:18A1899086
SiCパワーMOSFETの静的および動的挙動を予測するための新しいモデリング手法【JST・京大機械翻訳】
A New Modeling Approach for Predicting the Static and Dynamic Behavior of SiC Power MOSFETs
著者 (4件):
AlHoussein Ali
(VEDECOM ITE, Versailles, France)
,
Alawieh Hadi
(VEDECOM ITE, Versailles, France)
,
Riah Zouheir
(ESIGELEC University, Embedded Electronic Systems Research Institute (IRSEEM), Rouen, France)
,
Azzouz Yacine
(ESIGELEC University, Embedded Electronic Systems Research Institute (IRSEEM), Rouen, France)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
EMC Europe
ページ:
648-653
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)