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文献
J-GLOBAL ID：201802247081551273
整理番号：18A1616994
Si基板上に成長させたGaNの歪状態と特性に対する炭素ドーピング濃度の依存性【JST・京大機械翻訳】
Dependence of carbon doping concentration on the strain-state and properties of GaN grown on Si substrate
Ni Yiqiang
(School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China)
,
Li Liuan
(School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China)
,
He Liang
(School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China)
,
Que Taotao
(School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China)
,
Liu Zhenxing
(School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China)
,
He Lei
(School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China)
,
Wu Zhisheng
(Institute of Power Electronics and Control Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China)
,
Liu Yang
(School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China)
,
Liu Yang
(Institute of Power Electronics and Control Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China)
,
Liu Yang
(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China)
資料名：
Superlattices and Microstructures
(Superlattices and Microstructures)
巻： 120 ページ： 720-726 発行年： 2018年
JST資料番号： D0600B ISSN： 0749-6036 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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