文献
J-GLOBAL ID:201802247185885958
整理番号:18A1932660
Cu_2znSnSe_4における電荷キャリア移動度と寿命に及ぼすCu-Zn無秩序の影響【JST・京大機械翻訳】
The effect of Cu-Zn disorder on charge carrier mobility and lifetime in Cu2ZnSnSe4
著者 (4件):
Hempel Hannes
(Department Structure and Dynamics of Energy Materials, Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Hahn-Meitner-Platz 1, 14109 Berlin, Germany)
,
Eichberger Rainer
(Institute for Solar Fuels, Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Hahn-Meitner-Platz 1, 14109 Berlin, Germany)
,
Repins Ingrid
(National Renewable Energy Laboratory, 15013 Denver West Parkway, Golden, CO 80401-3305, USA)
,
Unold Thomas
(Department Structure and Dynamics of Energy Materials, Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Hahn-Meitner-Platz 1, 14109 Berlin, Germany)
資料名:
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻:
666
ページ:
40-43
発行年:
2018年
JST資料番号:
B0899A
ISSN:
0040-6090
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)