文献
J-GLOBAL ID:201802247276254421
整理番号:18A0968315
Au(788)からのエッチング無し移動により作製したグラフェンナノリボン電界効果トランジスタ【JST・京大機械翻訳】
Graphene nanoribbon field-effect transistors fabricated by etchant-free transfer from Au(788)
著者 (4件):
Ohtomo Manabu
(NTT Basic Research Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan)
,
Sekine Yoshiaki
(NTT Basic Research Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan)
,
Hibino Hiroki
(NTT Basic Research Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan)
,
Yamamoto Hideki
(NTT Basic Research Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
112
号:
2
ページ:
021602-021602-5
発行年:
2018年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)