文献
J-GLOBAL ID:201802247432460705
整理番号:18A1330592
全光電子収率分光法によるGaN表面とSiO2/GaN界面における電子状態密度のエネルギー分布
Total photoelectron yield spectroscopy of energy distribution of electronic states density at GaN surface and SiO2/GaN interface
著者 (6件):
OHTA Akio
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
NGUYEN Xuan Truyen
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
FUJIMURA Nobuyuki
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
IKEDA Mitsuhisa
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
MAKIHARA Katsunori
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
MIYAZAKI Seiichi
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
57
号:
6S3
ページ:
06KA08.1-06KA08.6
発行年:
2018年06月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)