文献
J-GLOBAL ID:201802247548407269
整理番号:18A1588239
半導体内蔵場におけるFranz-Keldysh効果:ドーピング濃度と空間電荷領域特性化【JST・京大機械翻訳】
Franz-Keldysh effect in semiconductor built-in fields: Doping concentration and space charge region characterization
著者 (2件):
Turkulets Yury
(Department of Electrical and Computer Enginerring, Ben Gurion University, Beer Sheva 8410501, Israel)
,
Shalish Ilan
(Department of Electrical and Computer Enginerring, Ben Gurion University, Beer Sheva 8410501, Israel)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
124
号:
7
ページ:
075102-075102-8
発行年:
2018年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)