文献
J-GLOBAL ID:201802248109249635
整理番号:18A1044908
エピフリーSiGe BiCMOSプロセスにおける新しいSTIスペーサの開発【JST・京大機械翻訳】
The development of novel STI spacer in an EPI free SiGe BiCMOS Process
著者 (3件):
Liu Donghua
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China)
,
Fang Ziquan
(HuaHong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation, Shanghai 201206, China)
,
Qian Wensheng
(HuaHong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation, Shanghai 201206, China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
CSTIC
ページ:
1-3
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)