文献
J-GLOBAL ID:201802248210575797
整理番号:18A1899193
傾斜電圧ストレスとオールインワン最尤適合を用いたSTT-MRAMにおける破壊の研究【JST・京大機械翻訳】
Study of breakdown in STT-MRAM using ramped voltage stress and all-in-one maximum likelihood fit
著者 (7件):
Van Beek Simon
(KU Leuven, Leuven, Kasteelpark Arenberg, 3001, Belgium)
,
Rousse Philippe
(KU Leuven, Leuven, Kasteelpark Arenberg, 3001, Belgium)
,
O’Sullivan Barry
(imec, Kapeldreef 75, Leuven, 3001, Belgium)
,
Degraeve Robin
(imec, Kapeldreef 75, Leuven, 3001, Belgium)
,
Cosemans Stefan
(imec, Kapeldreef 75, Leuven, 3001, Belgium)
,
Linten Dimitri
(imec, Kapeldreef 75, Leuven, 3001, Belgium)
,
Kar Gouri Sankar
(imec, Kapeldreef 75, Leuven, 3001, Belgium)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
ESSDERC
ページ:
146-149
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)