文献
J-GLOBAL ID:201802248404806018
整理番号:18A0868656
窒素ドープインジウムスズ亜鉛薄膜トランジスタの調製とその光電特性【JST・京大機械翻訳】
Fabrication and Electrical and Optical Properties of Nitrogen-doped In-Sn-Zn Oxide Thin-film Transistors
著者 (8件):
Li Zhiyue
(山東大学 空間科学与物理学院,山東 威海,264209)
,
Lv Yingbo
(山東大学 空間科学与物理学院,山東 威海,264209)
,
Zhao Jifeng
(山東大学 空間科学与物理学院,山東 威海,264209)
,
Song Shumei
(山東大学 空間科学与物理学院,山東 威海,264209)
,
Yang Bobo
(山東大学 空間科学与物理学院,山東 威海,264209)
,
Xin Yanqing
(山東大学 空間科学与物理学院,山東 威海,264209)
,
Wang Kunlun
(山東大学 空間科学与物理学院,山東 威海,264209)
,
Yang Tianlin
(山東大学 空間科学与物理学院,山東 威海,264209)
資料名:
Faguang Xuebao
(Faguang Xuebao)
巻:
38
号:
12
ページ:
1622-1628
発行年:
2017年
JST資料番号:
W1380A
ISSN:
1000-7032
CODEN:
FAXUEW
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
中国語 (ZH)