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文献
J-GLOBAL ID:201802248404806018   整理番号:18A0868656

窒素ドープインジウムスズ亜鉛薄膜トランジスタの調製とその光電特性【JST・京大機械翻訳】

Fabrication and Electrical and Optical Properties of Nitrogen-doped In-Sn-Zn Oxide Thin-film Transistors
著者 (8件):
Li Zhiyue
(山東大学 空間科学与物理学院,山東 威海,264209)
Lv Yingbo
(山東大学 空間科学与物理学院,山東 威海,264209)
Zhao Jifeng
(山東大学 空間科学与物理学院,山東 威海,264209)
Song Shumei
(山東大学 空間科学与物理学院,山東 威海,264209)
Yang Bobo
(山東大学 空間科学与物理学院,山東 威海,264209)
Xin Yanqing
(山東大学 空間科学与物理学院,山東 威海,264209)
Wang Kunlun
(山東大学 空間科学与物理学院,山東 威海,264209)
Yang Tianlin
(山東大学 空間科学与物理学院,山東 威海,264209)

資料名:
Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)

巻: 38  号: 12  ページ: 1622-1628  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1380A  ISSN: 1000-7032  CODEN: FAXUEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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