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文献
J-GLOBAL ID：201802248465784759
整理番号：18A1910763
高信頼性酸化物薄膜トランジスタバックプレーンのためのAlOスパッタ自己整列ソース/ドレイン形成技術【JST・京大機械翻訳】
AlO sputtered self-aligned source/drain formation technology for highly reliable oxide thin film transistor backplane
Hayashi Hiroshi
(JOLED Inc., 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi, Kanagawa, 243-0014, Japan)
,
Murai Atsuhito
(JOLED Inc., 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi, Kanagawa, 243-0014, Japan)
,
Miura Masanori
(JOLED Inc., 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi, Kanagawa, 243-0014, Japan)
,
Imada Tatsuo
(JOLED Inc., 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi, Kanagawa, 243-0014, Japan)
,
Terai Yasuhiro
(JOLED Inc., 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi, Kanagawa, 243-0014, Japan)
,
Oshima Yoshihiro
(JOLED Inc., 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi, Kanagawa, 243-0014, Japan)
,
Saitoh Tohru
(JOLED Inc., 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi, Kanagawa, 243-0014, Japan)
,
Hiromasu Yasunobu
(JOLED Inc., 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi, Kanagawa, 243-0014, Japan)
,
Arai Toshiaki
(JOLED Inc., 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi, Kanagawa, 243-0014, Japan)
資料名：
Journal of the Society for Information Display
(Journal of the Society for Information Display)
巻： 26 号： 10 ページ： 583-594 発行年： 2018年
JST資料番号： B0996B ISSN： 1071-0922 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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