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文献
J-GLOBAL ID：201802248615093194
整理番号：18A0027459
STIベースのLDMOSトランジスタにおける高破壊電圧のためのスプリットゲート構造【Powered by NICT】
Split-gate architecture for higher breakdown voltage in STI based LDMOS transistors
Teja Subrahmanya
(Department of Electrical Engineering, IIT Gandhinagar, Gujarat, India)
,
Bhoir Mandar
(Department of Electrical Engineering, IIT Gandhinagar, Gujarat, India)
,
Mohapatra Nihar R.
(Department of Electrical Engineering, IIT Gandhinagar, Gujarat, India)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： EDSSC ページ： 1-2 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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