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文献
J-GLOBAL ID:201802249132950046   整理番号:18A0438101

GaAsにおけるゆらぎポテンシャル:Siナノワイヤ:電子構造へのポリタイプ種類の影響の重要な還元【Powered by NICT】

Fluctuating potentials in GaAs:Si nanowires: critical reduction of the influence of polytypism on the electronic structure
著者 (12件):
Ben Sedrine N.
(Departamento de Fisica and I3N, Universidade de Aveiro, Campus Universitario de Santiago, 3810-193 Aveiro, Portugal. bsnebiha@yahoo.fr nbensedrine@ua.pt)
Ribeiro-Andrade R.
Gustafsson A.
Soares M. R.
Bourgard J.
Teixeira J. P.
Salome P. M. P.
Correia M. R.
Moreira M. V. B.
De Oliveira A. G.
Gonzalez J. C.
Leitao J. P.

資料名:
Nanoscale  (Nanoscale)

巻: 10  号:ページ: 3697-3708  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2323A  ISSN: 2040-3364  CODEN: NANOHL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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