文献
J-GLOBAL ID:201802249132950046
整理番号:18A0438101
GaAsにおけるゆらぎポテンシャル:Siナノワイヤ:電子構造へのポリタイプ種類の影響の重要な還元【Powered by NICT】
Fluctuating potentials in GaAs:Si nanowires: critical reduction of the influence of polytypism on the electronic structure
著者 (12件):
Ben Sedrine N.
(Departamento de Fisica and I3N, Universidade de Aveiro, Campus Universitario de Santiago, 3810-193 Aveiro, Portugal. bsnebiha@yahoo.fr nbensedrine@ua.pt)
,
Ribeiro-Andrade R.
,
Gustafsson A.
,
Soares M. R.
,
Bourgard J.
,
Teixeira J. P.
,
Salome P. M. P.
,
Correia M. R.
,
Moreira M. V. B.
,
De Oliveira A. G.
,
Gonzalez J. C.
,
Leitao J. P.
資料名:
Nanoscale
(Nanoscale)
巻:
10
号:
8
ページ:
3697-3708
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2323A
ISSN:
2040-3364
CODEN:
NANOHL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)