文献
J-GLOBAL ID:201802250079011730
整理番号:18A1137600
フィールドプレートによる高電圧Ga_2O_3垂直Schottky障壁ダイオードの設計考察【JST・京大機械翻訳】
Design consideration of high voltage Ga2O3 vertical Schottky barrier diode with field plate
著者 (3件):
Choi J.-H.
(School of Electronic and Electrical Engineering, Hongik University, Seoul, Republic of Korea)
,
Cho C.-H.
(Department of Electronic and Electrical Engineering, Hongik University, Sejong-Si, Republic of Korea)
,
Cha H.-Y.
(School of Electronic and Electrical Engineering, Hongik University, Seoul, Republic of Korea)
資料名:
Results in Physics
(Results in Physics)
巻:
9
ページ:
1170-1171
発行年:
2018年
JST資料番号:
W3368A
ISSN:
2211-3797
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)