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文献
J-GLOBAL ID：201802250367025019
整理番号：18A0910817
ReS2(001)薄膜の堆積-再硫化によるエピタキシャル成長
Epitaxial growth of ReS2(001) thin film via deposited-Re sulfurization
URAKAMI Noriyuki
(Shinshu Univ., Nagano, JPN)
,
OKUDA Tetsuya
(Shinshu Univ., Nagano, JPN)
,
HASHIMOTO Yoshio
(Shinshu Univ., Nagano, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 2S2 ページ： 02CB07.1-02CB07.5 発行年： 2018年02月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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