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文献
J-GLOBAL ID：201802250441540204
整理番号：18A0438778
3.6MV/cmを超える0.5mm電流密度と横方向破壊電界を用いた高Al含有AlGaNトランジスタ【Powered by NICT】
High Al-Content AlGaN Transistor With 0.5 A/mm Current Density and Lateral Breakdown Field Exceeding 3.6 MV/cm
Bajaj Sanyam
(Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA)
,
Allerman Andrew
(Sandia National Labs, Albuquerque, NM, USA)
,
Armstrong Andrew
(Sandia National Labs, Albuquerque, NM, USA)
,
Razzak Towhidur
(Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA)
,
Talesara Vishank
(Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA)
,
Sun Wenyuan
(Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA)
,
Sohel Shahadat H.
(Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA)
,
Zhang Yuewei
(Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA)
,
Lu Wu
(Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA)
,
Arehart Aaron R.
(Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA)
,
Akyol Fatih
(Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA)
,
Rajan Siddharth
(Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 39 号： 2 ページ： 256-259 発行年： 2018年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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