文献
J-GLOBAL ID:201802250827669533
整理番号:18A1489942
電界依存移動度による有機ダイオードの逆バイアス容量への負の寄与:障壁高さと輸送パラメータの決定【JST・京大機械翻訳】
Negative contribution to the reverse bias capacitance of organic diodes due to field dependent mobility: Determination of barrier height and transport parameters
著者 (3件):
Kumar Sunil
(Department of Physics, Indian Institute of Technology Kanpur, Kanpur 208016, India)
,
Verma Upkar K.
(Department of Physics, Indian Institute of Technology Kanpur, Kanpur 208016, India)
,
Mohapatra Y. N.
(Department of Physics, Indian Institute of Technology Kanpur, Kanpur 208016, India)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
124
号:
3
ページ:
035501-035501-7
発行年:
2018年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)