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文献
J-GLOBAL ID：201802250969986968
整理番号：18A0932086
高電子移動度(>1300cm2V-1s-1)を示す反応性イオンエッチGaN上に直接成長させたAlGaN層を持つAlGaN/GaNヘテロ構造
AlGaN/GaN heterostructures with an AlGaN layer grown directly on reactive-ion-etched GaN showing a high electron mobility (>1300 cm2 V-1 s-1)
YAMAMOTO Akio
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
,
MAKINO Shinya
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
,
KANATANI Keito
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
,
KUZUHARA Masaaki
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 4 ページ： 045502.1-045502.5 発行年： 2018年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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