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文献
J-GLOBAL ID：201802251238160302
整理番号：18A1036841
Raman分光法による非晶質Si_1-xGe_x薄膜の結晶化に及ぼす焼なまし雰囲気の影響【JST・京大機械翻訳】
Influence of annealing atmosphere on crystallization of amorphous Si1-x Ge x thin film by Raman spectroscopy
Makino Nobuaki
(Department of Nanosystem Science, Yokohama City University, 22-2 Seto, Kanazawa-ku, Yokohama 236-0027, Japan)
,
Makino Nobuaki
(Corporate Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation, 33 Shin-Isogo-Cho, Isogo-ku, Yokohama 235-0017, Japan)
,
Shigeta Yukichi
(Department of Nanosystem Science, Yokohama City University, 22-2 Seto, Kanazawa-ku, Yokohama 236-0027, Japan)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 658 ページ： 61-65 発行年： 2018年
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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