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文献
J-GLOBAL ID:201802251300922969   整理番号:18A0607609

TiO_2(110)上の中性ドーパントSi,Ge,およびSnの生物活性に及ぼす表面電子構造の影響:DFT研究【Powered by NICT】

The Effect of Surface Electronic Structure on the Bioactivity of Neutral Dopant Si, Ge, and Sn on TiO2 (110): A DFT Study
著者 (5件):
Xu Aoni
(Corrosion and Protection Center, Key Laboratory for Corrosion and Protection (MOE), University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, P.R. China)
Dong Chaofang
(Corrosion and Protection Center, Key Laboratory for Corrosion and Protection (MOE), University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, P.R. China)
Wei Xin
(Corrosion and Protection Center, Key Laboratory for Corrosion and Protection (MOE), University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, P.R. China)
Zhang Yanxian
(Corrosion and Protection Center, Key Laboratory for Corrosion and Protection (MOE), University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, P.R. China)
Li Xiaogang
(Corrosion and Protection Center, Key Laboratory for Corrosion and Protection (MOE), University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, P.R. China)

資料名:
Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)

巻: 255  号:ページ: ROMBUNNO.201700185  発行年: 2018年 
JST資料番号: C0599A  ISSN: 0370-1972  CODEN: PSSBBD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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