文献
J-GLOBAL ID:201802251465617792
整理番号:18A0078470
その技術的特徴に基づくディジタルCMOS ICの単一イベントラッチアップ感度パラメータの予測【Powered by NICT】
The prediction for single event latchup sensitivity parameters of digital CMOS ICs based on its technological features
著者 (6件):
Rudenkov A.E.
(National Research Nuclear University, Moscow, Russia)
,
Akhmetov A.O.
(National Research Nuclear University, Moscow, Russia)
,
Bobrovsky D.V.
(National Research Nuclear University, Moscow, Russia)
,
Chumakov A.I.
(National Research Nuclear University, Moscow, Russia)
,
Yanenko A.V.
(National Research Nuclear University, Moscow, Russia)
,
Uzhegov V.M.
(FSUO “TSNIIMASH”, Korolyov, Russia)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
MIEL
ページ:
287-290
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)