文献
J-GLOBAL ID:201802251490377638
整理番号:18A0910787
親水性直接接合InP/Si基板上に成長したGaInAsP/InPレーザダイオード接合の温度依存性
Bonding temperature dependence of GaInAsP/InP laser diode grown on hydrophilically directly bonded InP/Si substrate
著者 (10件):
AIKAWA Masaki
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
ONUKI Yuya
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
HAYASAKA Natsuki
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
NISHIYAMA Tetsuo
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
KAMADA Naoki
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
HAN Xu
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
PERIYANAYAGAM Gandhi Kallarasan
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
UCHIDA Kazuki
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
SUGIYAMA Hirokazu
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
SHIMOMURA Kazuhiko
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
57
号:
2S1
ページ:
02BB04.1-02BB04.6
発行年:
2018年02月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)