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文献
J-GLOBAL ID：201802251743964505
整理番号：18A0072343
Hf_xZr_1 xO_y薄膜を用いた(NH_4)_2S不動態化Ge MOSコンデンサの総線量効果とバイアス不安定性【Powered by NICT】
Total Dose Effects and Bias Instabilities of (NH4)2S Passivated Ge MOS Capacitors With HfxZr1-xOy Thin Films
Mu Yifei
(Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool, U.K.)
,
Fang Yuxiao
(Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool, U.K.)
,
Zhao Ce Zhou
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Xi’an Jiaotong-Liverpool University, Suzhou, China)
,
Zhao Chun
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Xi’an Jiaotong-Liverpool University, Suzhou, China)
,
Lu Qifeng
(Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool, U.K.)
,
Qi Yanfei
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Xi’an Jiaotong-Liverpool University, Suzhou, China)
,
Yi Ruowei
(Department of Chemistry, University of Liverpool, Liverpool, U.K.)
,
Yang Li
(Department of Chemistry, Xi’an Jiaotong-Liverpool University, Suzhou, China)
,
Mitrovic Ivona Z.
(Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool, U.K.)
,
Taylor Stephen
(Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool, U.K.)
,
Chalker Paul R.
(Center for Materials and Structures, School of Engineering, University of Liverpool, Liverpool, U.K.)
資料名：
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 64 号： 12 ページ： 2913-2921 発行年： 2017年
JST資料番号： C0235A ISSN： 0018-9499 CODEN： IETNAE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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