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文献
J-GLOBAL ID：201802251887605194
整理番号：18A0190628
ゲートailとトライゲートチャネル垂直型FETの寄生容量と性能の解析【Powered by NICT】
Analysis of parasitic capacitance and performance in gate-ail-around and tri-gate channel vertical FET
Seo Youngsoo
(Department of Electrical Engineering and Computer Science, Seoul National University, Gwanak-ro, Gwanak-gu, Seoul 151-742, Republic of Korea)
,
Kang Myounggon
(Department of Electronics Engineering, Korea National University of Transportation, Chungju-City, 380-702, South Korea)
,
Shin Hyungcheol
(Department of Electrical Engineering and Computer Science, Seoul National University, Gwanak-ro, Gwanak-gu, Seoul 151-742, Republic of Korea)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： SNW ページ： 63-64 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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