文献
J-GLOBAL ID:201802252027853391
整理番号:18A0632990
グラフェン・hBN・GaNヘテロ接合によるショットキーバリアダイオードの電流輸送特性
Current transport characteristics of graphene/hBN/GaN heterojunction Schottky barrier diode
著者 (5件):
KALITA Golap
(Nagoya Inst. Tech.)
,
KOBAYASHI Mai
(Nagoya Inst. Tech.)
,
SHAARIN Muhammad Dzulsyahmi
(Nagoya Inst. Tech.)
,
MAHYAVANSHI Rakesh
(Nagoya Inst. Tech.)
,
TANEMURA Masaki
(Nagoya Inst. Tech.)
資料名:
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻:
65th
ページ:
ROMBUNNO.19a-P6-58
発行年:
2018年03月05日
JST資料番号:
Y0054B
ISSN:
2436-7613
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)