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文献
J-GLOBAL ID:201802252276601996   整理番号:18A1394696

フォトニックデバイス応用のためのZnドーピングによるナノ構造SnO_2薄膜の非線形光学感受率χ(3),光ルミネセンスおよび光学バンドギャップの調整【JST・京大機械翻訳】

Tailoring the nonlinear optical susceptibility χ(3), photoluminescence and optical band gap of nanostructured SnO2 thin films by Zn doping for photonic device applications
著者 (6件):
Bannur M.S.
(Department of Physics, Karnataka Law Society Vishwanathrao Deshpande Rural Institute of Technology, Haliyal, Uttar Kannada Dist, Karnataka, 581329, India)
Antony Albin
(Department of Physics, Manipal Institute of Technology, Manipal Academy of Higher Education, Manipal, Karnataka, 576104, India)
Maddani K.I.
(Department of Physics, Sri Dharmasthala Manjunatheshwar College of Engineering and Technology, Dharwad, Karnataka, 580004, India)
Poornesh P.
(Department of Physics, Manipal Institute of Technology, Manipal Academy of Higher Education, Manipal, Karnataka, 576104, India)
Rao Ashok
(Department of Physics, Manipal Institute of Technology, Manipal Academy of Higher Education, Manipal, Karnataka, 576104, India)
Choudhari K.S.
(Department of Atomic and Molecular Physics, Manipal Academy of Higher Education, Manipal, Karnataka, 576104, India)

資料名:
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)

巻: 103  ページ: 348-353  発行年: 2018年 
JST資料番号: W1066A  ISSN: 1386-9477  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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