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文献
J-GLOBAL ID：201802252504847511
整理番号：18A0588585
バック増強(BE)SOI MOSFETの0温度バイアス点(ZTC)はあるか【Powered by NICT】
Is there a Zero Temperature bias point (ZTC) on Back Enhanced (BE) SOI MOSFET?
Yojo L. S.
(LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil)
,
Rangel R. C.
(LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil)
,
Sasaki K. R. A.
(LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil)
,
Martino J. A.
(LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： S3S ページ： 1-3 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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