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文献
J-GLOBAL ID：201802252618317682
整理番号：18A1859124
Cu基板上のCVDグラフェン成長中のSiO_x粒子形成の機構【JST・京大機械翻訳】
Mechanism of SiOx particles formation during CVD graphene growth on Cu substrates
Ge Xiaoming
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, PR China)
,
Ge Xiaoming
(CAS Center for Excellence in Superconducting Electronics, Shanghai, 200050, PR China)
,
Ge Xiaoming
(University of Chinese Academy of Science, Beijing, 100049, PR China)
,
Zhang Yanhui
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, PR China)
,
Zhang Yanhui
(CAS Center for Excellence in Superconducting Electronics, Shanghai, 200050, PR China)
,
Chen Lingxiu
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, PR China)
,
Chen Lingxiu
(CAS Center for Excellence in Superconducting Electronics, Shanghai, 200050, PR China)
,
Chen Lingxiu
(University of Chinese Academy of Science, Beijing, 100049, PR China)
,
Zheng Yonghui
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, PR China)
,
Zheng Yonghui
(University of Chinese Academy of Science, Beijing, 100049, PR China)
,
Chen Zhiying
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, PR China)
,
Chen Zhiying
(CAS Center for Excellence in Superconducting Electronics, Shanghai, 200050, PR China)
,
Liang Yijian
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, PR China)
,
Liang Yijian
(CAS Center for Excellence in Superconducting Electronics, Shanghai, 200050, PR China)
,
Liang Yijian
(University of Chinese Academy of Science, Beijing, 100049, PR China)
,
Hu Shike
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, PR China)
,
Hu Shike
(CAS Center for Excellence in Superconducting Electronics, Shanghai, 200050, PR China)
,
Hu Shike
(University of Chinese Academy of Science, Beijing, 100049, PR China)
,
Li Jing
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, PR China)
,
Li Jing
(CAS Center for Excellence in Superconducting Electronics, Shanghai, 200050, PR China)
,
Li Jing
(University of Chinese Academy of Science, Beijing, 100049, PR China)
,
Sui Yanping
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, PR China)
,
Sui Yanping
(CAS Center for Excellence in Superconducting Electronics, Shanghai, 200050, PR China)
,
Yu Guanghui
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, PR China)
,
Yu Guanghui
(CAS Center for Excellence in Superconducting Electronics, Shanghai, 200050, PR China)
,
Jin Zhi
(Microwave Devices and Integrated Circuits Department, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, 100029, Beijing, China)
,
Liu Xinyu
(Microwave Devices and Integrated Circuits Department, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, 100029, Beijing, China)
資料名：
Carbon
(Carbon)
巻： 139 ページ： 989-998 発行年： 2018年
JST資料番号： H0270B ISSN： 0008-6223 CODEN： CRBNA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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