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文献
J-GLOBAL ID：201802253540209392
整理番号：18A0845148
リチウムドープ黒リントランジスタにおける最適化輸送特性【JST・京大機械翻訳】
Optimized Transport Properties in Lithium Doped Black Phosphorus Transistors
Gao Tingting
(Wuhan National High Magnetic Field Center and the School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China)
,
Li Xuefei
(Wuhan National High Magnetic Field Center and the School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China)
,
Xiong Xiong
(Wuhan National High Magnetic Field Center and the School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China)
,
Huang Mingqiang
(Wuhan National High Magnetic Field Center and the School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China)
,
Li Tiaoyang
(Wuhan National High Magnetic Field Center and the School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China)
,
Wu Yanqing
(Wuhan National High Magnetic Field Center and the School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 39 号： 5 ページ： 769-772 発行年： 2018年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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