文献
J-GLOBAL ID:201802253769447818
整理番号:18A0515821
Subdecaナノメートル高性能技術ノードのためのゲルマナンMOSFET【Powered by NICT】
Germanane MOSFET for Subdeca Nanometer High-Performance Technology Nodes
著者 (5件):
Brahma Madhuchhanda
(Department of Electronic Systems Engineering, Centre for Nano Science and Engineering, Indian Institute of Science, Bengaluru, India)
,
Bescond Marc
(IM2NP UMR Centre National de la Recherche Scientifique 7334, Aix-Marseille Universite ́, Marseille, France)
,
Logoteta Demetrio
(IM2NP UMR Centre National de la Recherche Scientifique 7334, Aix-Marseille Universite ́, Marseille, France)
,
Ghosh Ram krishna
(Special Centre for Nanoscience, Jawaharlal Nehru University, New Delhi, India)
,
Mahapatra Santanu
(Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bengaluru, India)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
65
号:
3
ページ:
1198-1204
発行年:
2018年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)