文献
J-GLOBAL ID:201802253799203882
整理番号:18A0815120
非接触電気化学法を用いた多孔質シリコン中の銅の傾斜充填【JST・京大機械翻訳】
Gradient filling of copper in porous silicon using a non-contact electrochemical method
著者 (3件):
Zhao Mingrui
(Department of Chemical and Environmental Engineering, University of Arizona, Tucson, AZ 85721, USA)
,
Shadman Farhang
(Department of Chemical and Environmental Engineering, University of Arizona, Tucson, AZ 85721, USA)
,
Keswani Manish
(Department of Materials Science and Engineering, University of Arizona, Tucson, AZ 85721, USA)
資料名:
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻:
445
ページ:
505-511
発行年:
2018年
JST資料番号:
B0707B
ISSN:
0169-4332
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)