文献
J-GLOBAL ID:201802254201912011
整理番号:18A0190621
28mVのSS平均を用いたゲート電場による整列したバンド間トンネリングの新しい縦型トンネルFET【Powered by NICT】
A novel vertical tunnel FET of band-to-band tunneling aligned with gate electric field with averaged SS of 28 mV/decade
著者 (4件):
Shih Pao-Chuan
(Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University)
,
Huang Hsien-Chih
(Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University)
,
Wang Chien-An
(Department of Electrical Engineering, National Taiwan University)
,
Li Jiun-Yun
(Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
SNW
ページ:
49-50
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)