文献
J-GLOBAL ID:201802254218885896
整理番号:18A1550102
少数キャリア過渡分光法によるn型GaN中の正孔トラップ濃度を推定する正確な方法
Accurate method for estimating hole trap concentration in n-type GaN via minority carrier transient spectroscopy
著者 (6件):
KANEGAE Kazutaka
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
HORITA Masahiro
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
KIMOTO Tsunenobu
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
SUDA Jun
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
SUDA Jun
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SUDA Jun
(Inst. of Materials and Systems for Sustainability (IMaSS), Nagoya, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
11
号:
7
ページ:
071002.1-071002.4
発行年:
2018年07月
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)