文献
J-GLOBAL ID:201802254333554472
整理番号:18A0365624
Amplification of Terahertz Radiation in a Plasmon n-i-p-i Graphene Structure with Charge-Carrier Injection
著者 (4件):
POLISCHUK O. V.
(Kotelnikov Inst. of Radio Engineering and Electronics, Russian Acad. of Sci., Saratov, RUS)
,
FATEEV D. V.
(Kotelnikov Inst. of Radio Engineering and Electronics, Russian Acad. of Sci., Saratov, RUS)
,
POPOV V. V.
(Kotelnikov Inst. of Radio Engineering and Electronics, Russian Acad. of Sci., Saratov, RUS)
,
POPOV V. V.
(National Res. Saratov State Univ., Saratov, RUS)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
51
号:
11
ページ:
1460-1465
発行年:
2017年11月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)