文献
J-GLOBAL ID:201802254396676320
整理番号:18A1905017
逆バイアス炭化けい素Schottkyダイオードにおけるマイクロプラズマの発生【JST・京大機械翻訳】
Generation Of Microplasma In A Reverse-Biased Silicon Carbide Schottky Diode
著者 (2件):
Sonoiki Oluwayemisi
(Laboratory for Optical Physics and Engineering, Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois at Urbana-Champaign, IL, Urbana, 61801, USA)
,
Eden J. Gary
(Laboratory for Optical Physics and Engineering, Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois at Urbana-Champaign, IL, Urbana, 61801, USA)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ICOPS
ページ:
1
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)