文献
J-GLOBAL ID:201802254692478037
整理番号:18A0365652
Charge Density at the Al2O3/Si Interface in Metal-Insulator-Semiconductor Devices: Semiclassical and Quantum Mechanical Descriptions
著者 (3件):
HLALI Slah
(Univ. de Monastir, Monastir, TUN)
,
HIZEM Neila
(Univ. de Monastir, Monastir, TUN)
,
KALBOUSSI Adel
(Univ. de Monastir, Monastir, TUN)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
51
号:
12
ページ:
1625-1633
発行年:
2017年12月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)