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文献
J-GLOBAL ID：201802254714877205
整理番号：18A0990737
その場エッチングを用いたシリコン基板上のGaNにおける転位の低減【JST・京大機械翻訳】
Reduction of Dislocations in GaN on Silicon Substrate Using In Situ Etching
Matsumoto Koji
(SUMCO Corporation, 1-52 Kubara, Yamashiro-cho, Imari 849-4256, Japan)
,
Matsumoto Koji
(Department of Electrical Engineering and Computer Science Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan)
,
Ono Toshiaki
(SUMCO Corporation, 1-52 Kubara, Yamashiro-cho, Imari 849-4256, Japan)
,
Honda Yoshio
(Institute of Materials and Systems for Sustainability Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan)
,
Yamamoto Tetsuya
(Department of Electrical Engineering and Computer Science Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan)
,
Usami Shigeyoshi
(Department of Electrical Engineering and Computer Science Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan)
,
Kushimoto Maki
(Department of Electrical Engineering and Computer Science Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan)
,
Murakami Satoshi
(SUMCO Corporation, 1-52 Kubara, Yamashiro-cho, Imari 849-4256, Japan)
,
Amano Hiroshi
(Institute of Materials and Systems for Sustainability Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan)
,
Amano Hiroshi
(Venture Business Laboratory Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan)
,
Amano Hiroshi
(Akasaki Research Center Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan)
資料名：
Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics
(Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 255 号： 5 ページ： e1700387 発行年： 2018年
JST資料番号： C0599A ISSN： 0370-1972 CODEN： PSSBBD 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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