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文献
J-GLOBAL ID：201802254755938189
整理番号：18A1711702
多段階低速アニーリング戦略による強化ペロブスカイトフォトトランジスタ【JST・京大機械翻訳】
Enhanced perovskite phototransistor by multi-step slow annealing strategy
Cao Mingxuan
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, 518055, China)
,
Cao Mingxuan
(Key Laboratory of Opto-Electronics Information Technology (Tianjin University), Ministry of Education, School of Precision Instruments and Opto-Electronics Engineering, and Opto-Electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin, 300072, China)
,
Zhang Yating
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, 518055, China)
,
Zhang Yating
(Key Laboratory of Opto-Electronics Information Technology (Tianjin University), Ministry of Education, School of Precision Instruments and Opto-Electronics Engineering, and Opto-Electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin, 300072, China)
,
Yu Yu
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, 518055, China)
,
Yu Yu
(Key Laboratory of Opto-Electronics Information Technology (Tianjin University), Ministry of Education, School of Precision Instruments and Opto-Electronics Engineering, and Opto-Electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin, 300072, China)
,
Jin Lufan
(Key Laboratory of Opto-Electronics Information Technology (Tianjin University), Ministry of Education, School of Precision Instruments and Opto-Electronics Engineering, and Opto-Electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin, 300072, China)
,
Li Yifan
(Key Laboratory of Opto-Electronics Information Technology (Tianjin University), Ministry of Education, School of Precision Instruments and Opto-Electronics Engineering, and Opto-Electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin, 300072, China)
,
Chen Zhiliang
(Key Laboratory of Opto-Electronics Information Technology (Tianjin University), Ministry of Education, School of Precision Instruments and Opto-Electronics Engineering, and Opto-Electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin, 300072, China)
,
Che Yongli
(Key Laboratory of Opto-Electronics Information Technology (Tianjin University), Ministry of Education, School of Precision Instruments and Opto-Electronics Engineering, and Opto-Electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin, 300072, China)
,
Dai Haitao
(Tianjin Key Laboratory of Low Dimensional Materials Physics and Preparing Technology, School of Science, Tianjin University, Tianjin, 300072, China)
,
Zhang Guizhong
(Key Laboratory of Opto-Electronics Information Technology (Tianjin University), Ministry of Education, School of Precision Instruments and Opto-Electronics Engineering, and Opto-Electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin, 300072, China)
,
Yao Jianquan
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, 518055, China)
,
Yao Jianquan
(Key Laboratory of Opto-Electronics Information Technology (Tianjin University), Ministry of Education, School of Precision Instruments and Opto-Electronics Engineering, and Opto-Electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin, 300072, China)
資料名：
Optical Materials
(Optical Materials)
巻： 84 ページ： 498-503 発行年： 2018年
JST資料番号： W0468A ISSN： 0925-3467 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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