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文献
J-GLOBAL ID：201802254894338127
整理番号：18A0438767
ダブルゲートa-InGaZnO薄膜トランジスタにおける弱い局在化と弱い反局在【Powered by NICT】
Weak Localization and Weak Antilocalization in Double-Gate a-InGaZnO Thin-Film Transistors
Wang Wei-Hsiang
(Department of Physics, National Taiwan Normal University, Taipei, Taiwan)
,
Heredia Elica
(Department of Physics, National Taiwan Normal University, Taipei, Taiwan)
,
Lyu Syue-Ru
(Department of Physics, National Taiwan Normal University, Taipei, Taiwan)
,
Liu Shu-Hao
(Department of Physics, National Taiwan Normal University, Taipei, Taiwan)
,
Liao Po-Yung
(Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Chang Ting-Chang
(Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Jiang Pei-hsun
(Department of Physics, National Taiwan Normal University, Taipei, Taiwan)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 39 号： 2 ページ： 212-215 発行年： 2018年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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